由(you)于該體(ti)(ti)系使(shi)用(yong)了緩沖(chong)能(neng)力強的DMF,可使(shi)鍍(du)液(ye)的pH穩定(ding)，從而使(shi)鍍(du)層厚(hou)度的增加成(cheng)為可能(neng)。沉積速率快，鍍(du)層光亮，耐(nai)蝕性好，使(shi)用(yong)DMF溶液(ye)體(ti)(ti)系時溶液(ye)的導電(dian)性差(cha)，需要較高(gao)的槽電(dian)壓，電(dian)耗較高(gao)，但鄭姝皓、龔竹青等人使(shi)用(yong)DMF溶液(ye)沉積得到了納米(mi)晶(jing)Ni-Fe-Cr合金，并(bing)成(cheng)功用(yong)于核(he)電(dian)站冷凝管上。

1. DMF-H₂O體系鍍液組成和操作條件

 鍍液組成(cheng)和(he)操作條件(jian)如(ru)下：

 氯化鉻（CrCl₃·6H₂O)   0.8mol/L(213g/L)  、DMF(二甲基甲酰胺）  500mol/L  、水（H2O)   500mol/L

 氯化鎳（NiCl₂·6H₂O)   0.2mol/L(48g/L)   、  穩定劑  0.05mol/L  、 光亮劑  1~2g/L

 氯化亞鐵（FeCl₂·7H₂O)  0.03mol/L(7.6g/L)  、硼酸（H₃BO₃)0.15mol/L   (10g/L)  

 氯化銨（NH₄CI)  0.5mol/L(27g/L)  、電流密度   5~30A/d㎡  、溫度  20~30℃  、pH  小于2

 采用的脈沖參數：周期(qi)為(wei)300ms、75ms、50ms、25ms、10ms、5ms、2ms、1ms;

 占空比tot/tom=0(直流(liu)）、0.2、0.25、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8。

2. 鍍液及鍍層(ceng)特性

 a. Ni-Fe-Cr合(he)金層表面的SEM圖像(xiang)

由圖11-13可見(jian)，脈沖和直流電沉(chen)積(ji)所獲得的合(he)金鍍層的晶(jing)粒(li)都(dou)在納(na)米(mi)范圍內，但脈沖電沉(chen)積(ji)的晶(jing)粒(li)（b)小于(yu)直流電沉(chen)積(ji)的晶(jing)粒(li)（a)。

 b. 合金晶粒尺寸與外觀

 直流(liu)和脈沖條(tiao)件下合金層晶粒尺寸與外(wai)觀的比較（SEM)見表11-6.

由表(biao)11-6可見，脈沖電(dian)(dian)沉(chen)積(ji)(ji)條件下(xia)得(de)到的(de)合金(jin)晶(jing)粒尺寸和(he)鍍層外觀均優于(yu)直流(liu)電(dian)(dian)沉(chen)積(ji)(ji)，直流(liu)電(dian)(dian)沉(chen)積(ji)(ji)鍍層的(de)晶(jing)粒隨電(dian)(dian)鍍時(shi)間的(de)延長而明(ming)顯增大，而脈沖電(dian)(dian)沉(chen)積(ji)(ji)晶(jing)粒長大的(de)速率(lv)則不明(ming)顯。

c. 直流(liu)和脈沖電(dian)沉積Ni-Fe-Cr合金極化曲線

 直流和脈沖(chong)電沉(chen)積Ni-Fe-Cr合金極化(hua)曲線(xian)見圖11-14。

 由圖11-14可(ke)(ke)見，脈沖電沉(chen)(chen)積(ji)曲(qu)線(xian)的斜(xie)率高于電流電沉(chen)(chen)積(ji)曲(qu)線(xian)的斜(xie)率，故脈沖電沉(chen)(chen)積(ji)可(ke)(ke)獲得比直流電沉(chen)(chen)積(ji)更為細致(zhi)的結晶。

4. 直(zhi)流(liu)和脈沖電沉積Ni-Fe-Cr合金的(de)時間和沉積速率的(de)關系

  直流(liu)和脈沖電(dian)沉積Ni-Fe-Cr合金的(de)時間和沉積速率(lv)的(de)關(guan)系見(jian)圖11-15。由圖11-15可見(jian)，脈沖電(dian)沉積的(de)沉積速率(lv)高于(yu)直流(liu)電(dian)沉積。

6. 直流(liu)和脈(mo)沖電沉積Ni-Fe-Cr合金的時間(jian)和陰極電流(liu)效率的關(guan)系。

直流和(he)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)沉積 Ni-Fe-Cr合金的(de)(de)時間和(he)陰極電(dian)(dian)(dian)流效率的(de)(de)關系見11-16。由(you)圖11-16可(ke)見，脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)沉積的(de)(de)陰極電(dian)(dian)(dian)流效率高于直流電(dian)(dian)(dian)沉積。在采用脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)(dian)沉積時，選擇適宜的(de)(de)脈(mo)沖(chong)參數(shu)是非常重要的(de)(de)。