關于氫脆的機理，尚無統一認識。各種理論的共同點是：氫原子通過應力誘導擴散在高應力區富集，只有當富集的氫濃度達到臨界值C.時，使材料斷裂應力σ降低，才發生脆斷。目前較為普遍的觀點有以下幾種。
1. 氫的擴散機(ji)理(li)
裂(lie)紋(wen)尖端處于(yu)陰極區，由于(yu)陰極反(fan)應(ying)(ying)的結(jie)果，使介質中的氫(qing)(qing)(qing)離(li)子(zi)獲(huo)得(de)電子(zi)后(hou)還原(yuan)(yuan)成氫(qing)(qing)(qing)原(yuan)(yuan)子(zi)，一部(bu)分氫(qing)(qing)(qing)原(yuan)(yuan)子(zi)進一步結(jie)合成氫(qing)(qing)(qing)氣后(hou)逸出(chu)，另一部(bu)分氫(qing)(qing)(qing)原(yuan)(yuan)子(zi)向金(jin)屬內(nei)部(bu)擴散(san)。原(yuan)(yuan)子(zi)氫(qing)(qing)(qing)在金(jin)屬中的擴散(san)，有濃差(cha)擴散(san)和(he)應(ying)(ying)力擴散(san)。裂(lie)紋(wen)尖端高(gao)應(ying)(ying)力塑變區晶格缺(que)陷的堆積，產生氫(qing)(qing)(qing)與金(jin)屬中缺(que)陷交互作用的陷捕效應(ying)(ying)，使氫(qing)(qing)(qing)在此區域內(nei)產生高(gao)濃度的集中，從而使該區域的金(jin)屬脆化。
2. 氫(qing)壓理論
在H2環境中，H2分解成H進入金屬，其濃度CH和／P成正比，反過來，如果溶解在金屬中的H進入某些特殊區域（如夾界或第二相界面，空位團），就會復合成H2,即2H→H2,這時該處的H2壓力P就和C2H成正比，但由于H2不是理想氣團，壓力較高時要用逸度f代替，即
f=(CH/S)2=C2Hexp(-2ΔH/RT)（1.5)
當局部區域CH很高時，按式（1.5)算出的逸度換算成壓力后等于原子鍵合力σth,就會使局部地區的原子鍵斷裂而形成微裂紋。在高逸度電解充氫時，充氫過程中就會產生氫鼓泡（出現在表層）或氫致微裂紋，它和是否存在外加應力無關，也不需要滯后時間（即不需要應力誘導擴散、富集），這完全是氫壓力P等于σth,從而使原子鍵斷裂而形成微裂紋。氫壓理論成功地解釋了電解充氫過程中產生的裂紋、鋼中白點以及鋼在硫化氫溶液中產生的裂紋。但對于不可逆損傷，如氫致可逆塑性損失以及氫致滯后開裂，僅僅用氫壓理論無法解釋。
3. 氫降低表面能理論(lun)
氫(qing)(qing)(qing)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)理論是N.Petch和(he)P.Stabls在1952年提出的(de)(de)(de)(de)(de)。材料(liao)斷裂時將形(xing)成兩個新(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)，對(dui)(dui)于(yu)(yu)完(wan)全(quan)脆性的(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)，斷裂時所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)外力(li)(li)做功(gong)等(deng)于(yu)(yu)形(xing)成新(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)。當(dang)裂紋(wen)尖(jian)(jian)端區處(chu)于(yu)(yu)陰極狀態時，由(you)于(yu)(yu)陰極反應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)結果，表(biao)面(mian)(mian)將產生(sheng)大量的(de)(de)(de)(de)(de)氫(qing)(qing)(qing)原子(zi)，根據斷裂力(li)(li)學的(de)(de)(de)(de)(de)觀點，處(chu)于(yu)(yu)高(gao)應(ying)(ying)力(li)(li)裂紋(wen)尖(jian)(jian)端的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)會有效地促使表(biao)面(mian)(mian)吸附氫(qing)(qing)(qing)原子(zi)，吸附在材料(liao)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)氫(qing)(qing)(qing)會使材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)，使斷裂所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)臨界外應(ying)(ying)力(li)(li)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)，引(yin)起氫(qing)(qing)(qing)脆。它沒(mei)有考慮塑(su)性變形(xing)功(gong)，因(yin)而對(dui)(dui)金(jin)屬(shu)材料(liao)是不適(shi)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)。到了(le)(le)20世紀70年代，C.McMahon等(deng)人對(dui)(dui)這一(yi)理論進一(yi)步作了(le)(le)修正(zheng)。他用(yong)Orowan判據，把局(ju)(ju)部塑(su)性變形(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)因(yin)素考慮進去(qu)，導出了(le)(le)塑(su)性變形(xing)功(gong)Tp和(he)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)r的(de)(de)(de)(de)(de)關系。氫(qing)(qing)(qing)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)理論存在的(de)(de)(de)(de)(de)問題如下：一(yi)方面(mian)(mian)，對(dui)(dui)氫(qing)(qing)(qing)吸附后(hou)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)降(jiang)(jiang)(jiang)低(di)的(de)(de)(de)(de)(de)物理本質尚(shang)不清(qing)楚；另一(yi)方面(mian)(mian)，這一(yi)理論忽視(shi)了(le)(le)局(ju)(ju)部塑(su)性變形(xing)對(dui)(dui)斷裂過程的(de)(de)(de)(de)(de)主導作用(yong)。
4. 弱鍵(jian)理(li)論
弱(ruo)鍵理論(lun)認為氫(qing)(qing)進人材(cai)料(liao)后能使材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)原子(zi)間鍵力降(jiang)低，原因是氫(qing)(qing)的(de)(de)(de)1s電子(zi)進入過渡(du)族金屬的(de)(de)(de)d帶，使d帶電子(zi)密度(du)升高，s帶與(yu)d帶重(zhong)合部分(fen)增(zeng)大，因而原子(zi)間排斥力增(zeng)加，即鍵力下降(jiang)。該理論(lun)簡單直觀，容易被(bei)人們接(jie)受。給而實驗(yan)證據尚不充分(fen)，如材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)彈(dan)性(xing)模量與(yu)鍵力有(you)(you)關，但(dan)實驗(yan)并未發現氫(qing)(qing)對彈(dan)性(xing)模量有(you)(you)顯著的(de)(de)(de)影響。此外(wai)，沒有(you)(you)3d帶的(de)(de)(de)鋁合金也能發生可逆(ni)氫(qing)(qing)脆(cui)，因此不可能有(you)(you)氫(qing)(qing)的(de)(de)(de)1s電子(zi)進入金屬的(de)(de)(de)d帶。
5.氫促進局(ju)部塑性變形(xing)機理(li)
氫促進局部塑性變形機理的基礎是一系列斷口形貌研究結果和隨后的金相及透射電鏡原位跟蹤實驗結果。該理論認為，氫能促進位錯的增殖和運動，使得局部地區（如裂尖、無位錯區、位錯塞積群前端）的應力集中σy等于被氫降低了的原子鍵合力σth(H),從而導致氫致微裂紋在該處形核，原子鍵進人微裂紋就復合成H2,產生氫壓，它能使微裂紋穩定化，同時也能協助局部應力使之解理擴展。該理論同時考慮了氫促進局部塑性變形，氫降低原子鍵合力以及氫壓作用。該理論表明，從微裂紋上看，氫促進位錯發射和運動；從宏觀上看，氫使門檻應力rc(或應力強度因子）為
也使臨界斷裂應變下降，從而使材料變脆。因為只有當氫通過應力誘導擴散富集到等于臨界值Cth時，才會明顯促進局部塑性變形并使應變高度局部化，同時也使σth(H)明顯下降，從而在低的外應力下就導致開裂。
