電化學拋光是以被拋光工件為陽極，不溶性金屬為陰極，兩電極同時浸入電化學拋光槽中，通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解，陽極表面光亮度增大，這種過程與電鍍過程正好相反。


 電化學拋光機理－黏性薄膜理論如下。拋光主要是陽極電極過程和表面磷酸鹽膜共同作用的結果。從陽極溶解下來的金屬離子與拋光液中的磷酸形成溶解度小，黏性大、擴散速率小的磷酸鹽，并慢慢地積累在陽極附近，粘接在陽極表面，形成了黏滯性較大的電解液層。密度大、導電能力差的黏膜在微觀表面上分布不均勻，從而影響了電流密度在陽極上的分布。很明顯，黏膜在微觀凸起處比凹洼處的厚度小，使凸起處的電流密度較高而溶解速率較快。隨著黏膜的流動，凸凹位置的不斷變換，粗糙表面逐漸整平。不銹鋼表面因此被拋光達到高度光潔和光澤的外觀。


 由(you)此可(ke)見，溶(rong)(rong)液(ye)濃度(du)和(he)黏(nian)(nian)度(du)是(shi)個重要(yao)(yao)因(yin)素(su)，特別(bie)是(shi)溶(rong)(rong)液(ye)的黏(nian)(nian)度(du)，往往表現在新配的拋(pao)(pao)光(guang)(guang)液(ye)雖然(ran)組分濃度(du)達到了(le)要(yao)(yao)求(qiu)，但(dan)由(you)于黏(nian)(nian)度(du)尚未達到要(yao)(yao)求(qiu)而拋(pao)(pao)不光(guang)(guang)，只有在經(jing)過(guo)(guo)一(yi)段時(shi)間的電(dian)解后(hou)(hou)才開始拋(pao)(pao)光(guang)(guang)良(liang)好。特別(bie)是(shi)溶(rong)(rong)液(ye)與零件的界面(mian)濃度(du)和(he)黏(nian)(nian)度(du)，在拋(pao)(pao)光(guang)(guang)中起著(zhu)重要(yao)(yao)作用。這就是(shi)為什么要(yao)(yao)求(qiu)零件在進入拋(pao)(pao)光(guang)(guang)液(ye)前表面(mian)水膜要(yao)(yao)均勻，否(fou)則零件表面(mian)帶水膜的不均勻性，破壞了(le)黏(nian)(nian)膜的正常(chang)生成，發生局部過(guo)(guo)腐蝕現象。水洗后(hou)(hou)的零件最(zui)好甩干后(hou)(hou)迅速下槽(cao)，這樣通電(dian)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)后(hou)(hou)，表面(mian)過(guo)(guo)腐蝕現象即(ji)可(ke)避免。


 電化(hua)學(xue)拋(pao)光(guang)還不(bu)能完全取(qu)代機(ji)械(xie)拋(pao)光(guang)。電化(hua)學(xue)拋(pao)光(guang)只是對金(jin)屬表面(mian)上起微觀整平(ping)作(zuo)用。宏(hong)觀的(de)(de)整平(ping)要(yao)靠機(ji)械(xie)拋(pao)光(guang)。電化(hua)學(xue)拋(pao)光(guang)對材料化(hua)學(xue)成分的(de)(de)不(bu)均(jun)勻(yun)性和(he)顯微偏析(xi)特別敏感，使金(jin)屬基體和(he)非金(jin)屬夾(jia)雜(za)物之間常(chang)被劇烈浸蝕，有(you)時，有(you)不(bu)良的(de)(de)冶金(jin)狀(zhuang)態，金(jin)屬晶粒尺寸結構的(de)(de)不(bu)均(jun)勻(yun)性、軋制痕跡、鹽類或(huo)氧(yang)化(hua)物的(de)(de)污染、酸洗過度以及淬火過度等(deng)均(jun)會對電化(hua)學(xue)拋(pao)光(guang)產生不(bu)良影響(xiang)。這些缺(que)陷常(chang)常(chang)要(yao)靠先(xian)期的(de)(de)機(ji)械(xie)拋(pao)光(guang)來彌補。


電(dian)化(hua)學拋光(guang)(guang)與手工(gong)機械拋光(guang)(guang)相比(bi)，能發揮下列優點(dian)：


 ①. 產(chan)品(pin)內外色澤一致(zhi)，清(qing)潔光(guang)(guang)亮，光(guang)(guang)澤持久，外觀輪廓清(qing)晰；


 ②. 螺紋中的毛(mao)刺在電解過程中溶(rong)解脫(tuo)落(luo)，螺紋間(jian)配合(he)松滑(hua)，防止螺紋間(jian)咬(yao)時的咬(yao)死現象；


 ③. 拋光面抗腐(fu)蝕性能增強；


 ④. 與機(ji)械拋光相比(bi)，生(sheng)產(chan)效(xiao)率高，生(sheng)產(chan)成(cheng)本低。