晶間腐蝕是金屬材(cai)料在(zai)特(te)定的(de)(de)腐蝕介質(zhi)中(zhong)沿著材(cai)料晶界(jie)區發(fa)展的(de)(de)腐蝕，使(shi)晶粒之間喪失結合力(li)的(de)(de)一種局(ju)部破壞現象(xiang)。實際(ji)就是材(cai)料晶界(jie)區物質(zhi)的(de)(de)溶(rong)解速率遠遠大于晶粒本體的(de)(de)溶(rong)解速率。晶間(jian)腐蝕理(li)論(lun)(lun)有貧化理(li)論(lun)(lun)和晶界(jie)區雜質或(huo)第二(er)相(xiang)選擇溶解(jie)理(li)論(lun)(lun)兩種(zhong)。

一(yi)、貧化理論(lun)

  貧化理論是一個總稱。對于不銹鋼、鎳鉻鐵合金來說，是貧鉻理論；對于鎳鉻鉬合金是貧鉬理論；對于鋁銅合金是貧銅理論。

  以奧氏體不銹鋼為例，鋼中碳在奧氏體中的固溶度隨溫度的降低而減少，如304不銹鋼，在500~700℃的平衡溶碳量，最多不超過0.02%.當奧氏體不銹鋼中的含碳量在0.02%~0.03%以上時（隨鋼中含鎳量而異），在固溶處理后，碳在鋼中便處于過飽和狀態。

  在不銹鋼的加工和使用過程中，若經過450~850℃的加熱（敏化處理）時（如焊接熱影響或在此溫度范圍內使用），則鋼中的過飽和碳就會向晶界擴散而析出，并與其附近的鉻形成鉻的碳化物（Cr₂₃C₆)。由于這種碳化物含有較高的鉻，而晶粒內部鉻擴散較慢，在形成鉻的碳化物時就發生鉻的“供不應求”現象，這種沿晶界析出的鉻的碳化物導致其周圍基體中鉻濃度的降低，形成所謂“貧鉻區”。當鉻的碳化物沿晶界析出呈網狀時，貧鉻區亦連接呈網狀，“晶界區”鉻含量的降低，使其鈍化能力下降，甚至消失，而奧氏體晶粒本身仍具有足夠鈍化（耐蝕）能力。因此，在腐蝕介質作用下，晶界附近連成網狀的貧鉻區便優先溶解而產生晶間腐蝕。研究表明，貧鉻區的寬度和鉻貧化度等隨鋼種、加熱溫度等條件的不同，而有較大的差異。在一些苛刻的腐蝕介質條件下，貧鉻區的鉻濃度常常在不小于12%時就產生晶間腐蝕。

二(er)、晶界區雜質(zhi)或第二(er)相選擇溶(rong)解理(li)論

  在硝酸和尿素(su)(su)生(sheng)產(chan)介質中，奧氏(shi)體(ti)(ti)不銹鋼在非敏(min)化(hua)狀(zhuang)態(tai)(tai)（固溶態(tai)(tai)）發(fa)生(sheng)晶(jing)間(jian)(jian)腐蝕(shi)(shi)，而(er)(er)敏(min)化(hua)態(tai)(tai)（即含(han)有晶(jing)界(jie)(jie)(jie)貧(pin)鉻區的）反而(er)(er)不發(fa)生(sheng)晶(jing)間(jian)(jian)腐蝕(shi)(shi)，這顯(xian)然不能(neng)用(yong)貧(pin)鉻理論來解釋。研究表(biao)明，在硝酸介質中，碳小于0.1%時，對非敏(min)化(hua)態(tai)(tai)晶(jing)間(jian)(jian)腐蝕(shi)(shi)無明顯(xian)影(ying)響；磷(lin)(lin)大于或等(deng)于0.01%,顯(xian)著(zhu)有害(hai)；硅大于0.1%的危害(hai)性(xing)(xing)開始(shi)增加，0.8%達到高(gao)峰，當硅含(han)量(liang)一定(ding)量(liang)時，如4.0%,反而(er)(er)非常有益；硼含(han)量(liang)大于或等(deng)于0.0008%便有害(hai)了。在尿素(su)(su)生(sheng)產(chan)裝置中所引起的奧氏(shi)體(ti)(ti)不銹鋼的非敏(min)化(hua)態(tai)(tai)晶(jing)界(jie)(jie)(jie)腐蝕(shi)(shi)與磷(lin)(lin)、硅的沿(yan)晶(jing)界(jie)(jie)(jie)偏(pian)聚(ju)(ju)有關，研究表(biao)明，隨磷(lin)(lin)的增加，其(qi)(qi)耐(nai)晶(jing)界(jie)(jie)(jie)腐蝕(shi)(shi)性(xing)(xing)下降(jiang)。磷(lin)(lin)、硅、硼等(deng)雜質元素(su)(su)沿(yan)晶(jing)界(jie)(jie)(jie)偏(pian)聚(ju)(ju)導致非敏(min)化(hua)態(tai)(tai)晶(jing)間(jian)(jian)腐蝕(shi)(shi)，僅(jin)僅(jin)是由(you)于晶(jing)界(jie)(jie)(jie)內形成化(hua)學(xue)濃(nong)差而(er)(er)引起的單純電化(hua)學(xue)腐蝕(shi)(shi)過(guo)程，或者是由(you)于偏(pian)聚(ju)(ju)引起晶(jing)界(jie)(jie)(jie)耐(nai)蝕(shi)(shi)性(xing)(xing)下降(jiang)，還是其(qi)(qi)他(ta)因素(su)(su)的影(ying)響，有待于進(jin)一步探討。

 研究還表明，某些超低碳含鉬奧氏體不銹鋼（如316L不銹鋼)在敏化溫度區間，在晶界析出σ相，在沸騰的65%硝酸溶液中可發現。相選擇溶解所致的晶間腐蝕。

上述兩種晶間(jian)腐蝕機理(li)各自適用一定的(de)合(he)金(jin)組織狀(zhuang)態(tai)，特(te)別是一定的(de)介質條(tiao)件，不是相(xiang)互排斥(chi)而(er)是相(xiang)輔(fu)相(xiang)成的(de)，需要指出的(de)是絕大(da)多(duo)數的(de)晶間(jian)腐蝕可用貧化理(li)論來解釋。

 為提高耐由貧鉻引起的晶間腐蝕性能，應當避免在500~850℃溫度范圍內受熱或受熱重新進行固溶處理；降低材料的C含量，采用超低碳材料，或在鋼中加穩定化元素鈦、鈮與鋼中過飽和的碳形成穩定的TiC、NbC等碳化物，以防止或減少鉻的碳化物Cr₂₃C₆。形成。但由于含鈦鋼的焊后形成“刃狀腐蝕”，故被逐漸淘汰，目前主要采用超低碳不銹鋼。鉻含量的增加也可以增加耐晶界腐蝕性能，鐵素體十奧氏體兩相不銹鋼和晶界含一定鐵素體的奧氏體不銹鋼都有較好耐晶間腐蝕性能。

 為提(ti)高耐非敏化態晶間腐蝕性能，則(ze)要(yao)采用超低(di)磷、硅，尿素級則(ze)要(yao)求提(ti)高奧(ao)氏(shi)體(ti)鋼(gang)的(de)純度。